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8月9日至11日，第十一屆（2023年）半導(dǎo)體設(shè)備年會暨半導(dǎo)體設(shè)備材料與核心部件展示會(CSEAC)在無錫舉行。作為國內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體晶圓鍵合設(shè)備廠商，蘇州芯?？萍加邢薰荆ê喎Q“芯?？萍肌保y最新研發(fā)的12英寸設(shè)備精彩亮相參展。

芯?？萍际且患覍Ｗ⒂诎雽?dǎo)體晶圓鍵合設(shè)備研發(fā)、生產(chǎn)及銷售的企業(yè)。通過十多年的研發(fā)，公司產(chǎn)品應(yīng)用覆蓋半導(dǎo)體各領(lǐng)域（包括射頻器件、功率器件、先進(jìn)封裝、光通訊等），工藝能力覆蓋2至12英寸，是臨時鍵合、永久鍵合整體方案提供商。公司核心技術(shù)團(tuán)隊均有20年以上的半導(dǎo)體設(shè)備開發(fā)經(jīng)驗。

近年來，隨著前道晶圓制造接近物理極限，追求先進(jìn)制程不再是晶圓廠唯一選擇，人們轉(zhuǎn)而思考通過其它方式來增加芯片中晶體管的密度，芯片的3D化是時下最主流、最熱門的方向之一。晶圓鍵合技術(shù)通過建立不同表面之間的分子、原子間作用力，實現(xiàn)高至納米級精度的互聯(lián)，或以臨時鍵合的技術(shù)實現(xiàn)晶圓減薄，使工廠在仍使用現(xiàn)有設(shè)備的條件下，能夠在薄晶圓上實現(xiàn)各種制程，進(jìn)而支持先進(jìn)封裝技術(shù)的實現(xiàn)與推廣，滿足超摩爾定律的要求。

在CSEAC半導(dǎo)體設(shè)備年會的新品發(fā)布專場上，芯?？萍假Y深業(yè)務(wù)總監(jiān)余文德介紹，公司最新自主研發(fā)生產(chǎn)的12英寸臨時鍵合設(shè)備可應(yīng)用于Fan-out、2.5D、3D interposer等先進(jìn)封裝相關(guān)工藝。鍵合腔體采用高真空、高溫和高壓設(shè)計，及具有專利的腔內(nèi)置中機構(gòu)，使得置中精度能夠達(dá)到≤50um。此外，該設(shè)備可以適應(yīng)市場上各種臨時鍵合材料，為客戶提供多樣性的選擇。

公司的12英寸激光解鍵合設(shè)備則搭載主流波段355nm固態(tài)激光源，并采用平頂光設(shè)計，避免單點能量過高對芯片造成損傷；光路的實時能量監(jiān)控功能，確保工藝流程中激光能量的穩(wěn)定性。此外，該設(shè)備腔體還配備載片分離模組，可以實現(xiàn)解鍵合后載片的自動分離。

記者了解到，目前，高端晶圓級鍵合設(shè)備幾乎由奧地利EVG、德國蘇斯（SUSS）等國外廠商壟斷。芯?？萍枷Ｍ谛酒?D化、晶圓堆疊方向助力中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

（文章來源：上海證券報·中國證券網(wǎng)）

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