(資料圖片)

光大證券研報指出，半導體器件的不斷縮小對薄膜沉積工藝提出了更高要求，而ALD技術(shù)憑借沉積薄膜厚度的高度可控性、優(yōu)異的均勻性和三維保形性，在半導體先進制程應用領(lǐng)域彰顯優(yōu)勢。2020年，全球ALD設(shè)備市場規(guī)模約占薄膜沉積設(shè)備整體市場的11%。從晶圓廠設(shè)備投資構(gòu)成來看，薄膜沉積設(shè)備投資額占晶圓制造設(shè)備總投資額的比重約達25%。隨著全球和國內(nèi)晶圓廠的加速建設(shè)和擴產(chǎn)，以及半導體器件結(jié)構(gòu)向更細微演進，ALD設(shè)備市場空間廣闊。

關(guān)鍵詞： 薄膜沉積 光大證券 空間廣闊